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Los SiC MOSFET se utilizan en sistemas de potencia de voltaje medio a alto y permiten mayores frecuencias de conmutación con una eficiencia mejorada, al tiempo que reducen el tamaño del sistema y la necesidad de redundancia.

Nuestros SIC MOSFET ofrecen una robustez y un rendimiento sin igual con una amplia gama de soluciones con un costo del sistema más bajo, un tiempo de comercialización más rápido y un menor riesgo. Nuestras soluciones vienen con una vida útil del óxido de más de 100 años y un diodo corporal estable, junto con la mejor robustez a la avalancha, capacidad de cortocircuito y susceptibilidad a neutrones del mercado para una mejor confiabilidad del sistema y tiempo de funcionamiento.

Características

Operación a alta temperatura (Tj = 175°C) con un desplazamiento bajo de RDS(on) en todo el rango de temperatura

Estabilidad del óxido de compuerta líder en la industria (< 100 mV de desplazamiento de Vth) y vida útil del óxido de compuerta

Robustez a la avalancha (UIS) (> 100k pulsos)

Largo tiempo de resistencia a cortocircuitos

Beneficios

Mayor frecuencia y eficiencia de conmutación

Mayor densidad de potencia

Robustez mejorada

Sistemas más pequeños y ligeros sin necesidad de redundancia de dispositivos SiC

Mejores requisitos de enfriamiento que reducen el costo del sistema

Nuestra ventaja

Varios orígenes de epi y dos fábricas de SiC aseguran el suministro a largo plazo

Clasificación a la avalancha UIS sin parangón

Mayor tiempo de resistencia del óxido de compuerta

Práctica de descontinuación impulsada por el cliente